奇码数字信息有限公司笔试题
10-15 23:38:17
来源：http://www.qz26.com 面试问题 阅读：8305次
导读：1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。3．说出制作N-well的工艺流程。4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
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1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
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