Avant!微电子EE笔试题
12-17 15:52:37
来源：http://www.qz26.com 笔试题目 阅读：8559次
导读：1.名词解释：VLSI，CMOS，EDA，VHDL，Verilog，HDL，ROM，RAM，DRC，LVS。2.简述CMOS工艺流程。3.画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。4.画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。5.简述ESD和latch-up的含义。6.简述三极管与MOS管的区别。7.简述MOORE模型和MEALY模型。8.简述堆栈与队列的区别。
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1.名词解释：VLSI，CMOS，EDA，VHDL，Verilog，HDL，ROM，RAM，DRC，LVS。
2.简述CMOS工艺流程。
3.画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。
4.画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5.简述ESD和latch-up的含义。
6.简述三极管与MOS管的区别。
7.简述MOORE模型和MEALY模型。
8.简述堆栈与队列的区别。
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