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华为、联想等名企笔试题总汇

10-15 23:59:20 来源:http://www.qz26.com 笔试题目   阅读:8716
导读:B 综合业务模拟网模拟协议 C 综合业务数字网基率协议 D 综合业务数字网基次协议 3.路由协议中, 协议是用距离作为向量的。 A ospf B bgp C is-is D rip 4.中国智能网中,ssp与scp间最上层的ss7协议是 。 A incs B is41b C is41c D inap 5.dtmf全称是 。www.qz26.com A 双音多频 B多音双频 C多音三频 D三音多频 6.计算机的基本组成部分中,不包含下面设备的是 。 A cpu B输入设备 C存储器 D接口 7.脉冲编码调制的简称是 。 A pcm B pam C (delta)M D atm 8.普通电话线接口专业称呼是。 A rj11 B rj45 C rs232 D bnc 9.现有的公共数据网都采用 。 A电路交换技术 B报文交换技术 C语音插空 D分组交换 10.ss7协议中的制止市忙消息简写为 。 A stb B slb C sub D spb·简答题(每题10分) 1.简述普通电话与
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B 综合业务模拟网模拟协议
C 综合业务数字网基率协议
D 综合业务数字网基次协议
3.路由协议中, 协议是用距离作为向量的。
A ospf B bgp C is-is D rip
4.中国智能网中,ssp与scp间最上层的ss7协议是 。
A incs B is41b C is41c D inap
5.dtmf全称是 。

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A 双音多频 B多音双频 C多音三频 D三音多频
6.计算机的基本组成部分中,不包含下面设备的是 。
A cpu B输入设备 C存储器 D接口
7.脉冲编码调制的简称是 。
A pcm B pam C (delta)M D atm
8.普通电话线接口专业称呼是。
A rj11 B rj45 C rs232 D bnc
9.现有的公共数据网都采用 。
A电路交换技术 B报文交换技术 
C语音插空 D分组交换
10.ss7协议中的制止市忙消息简写为 。
A stb B slb C sub D spb

·简答题(每题10分)
1.简述普通电话与IP电话的区别。
2.简述随路信令与公路信令的根本区别。
3.说明掩码的主要作用。
4.ss7协议中,有三大要素决定其具体定位,哪三大要素?
5.描述ss7的基本通话过程。
6.简述通信网的组成结构。
7.面向连接与面向非连接各有何利弊?
8.写出爱尔兰的基本计算公式。
9.数据网主要有哪些设备?
10.中国一号协议是如何在被叫号码中插入主叫号码的?

■东信笔试题目
笔试:30分钟。
1.压控振荡器的英文缩写。
2.动态随机存储器的英文缩写。
3.选择电阻时要考虑什么?
4.单片机上电后没有运转,首先要检查什么?
5.计算机的基本组成部分及其各自的作用。
6.怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?

■中软融鑫笔试题
1.关于工作
(1) 你对未来的工作生活是怎样憧憬的?为何选择我公司作为求职公司?
(2)请用不超过30个字给出一个最能让我们录用你的理由。
(3)你认为比较理想的工作环境是怎样的?
(4)你个人的中长期的职业发展目标是怎样的?
2.关于社会
(1)如果你是杨利伟,你在太空中向祖国人民说的第一句话是什么?
(2)宋美龄女士于20xx年10月谢世,对这位著名人士在西安事变中的态度和作用,你是如何看待的?(不超过300字)
(3)北京政府颁布的对拾金不昧者,失主要奖励相当于财产20%奖金的公告,你是如何看的?
(4)如果给你50万元人民币,你将会用这些钱做什么?
(5)在美国,男、女卫生间(厕所)的正确称呼为什么?请用英语写出答案。
(6)你认为麦当劳是世界最大的汉堡生产商吗?如果不是,请说出你的观点。
3.教育背景
(1)你受过哪些正规的教育或培训?(自高中毕业起)
(2)在校期间进行过哪些社会活动?

■友立资讯笔试题目
1.一堆鸡蛋,3个3个数剩余2个,5个5个数剩余1个,7个7个数剩余3个,问这堆鸡蛋
最少有多少个?并给出通解。
2.列举五岳,及其所在省份。
3.何为四书。

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4.按顺序默写24节气。
5.默写于谦的《石灰吟》。
6.英语翻译约300字。
7.作文一篇:求职有感。

■普华永道PWC笔试题目(作文)
1.最近10年来中国媒体的变化。 zd.54yjs.cn
2.你认为发展汽车产业和公共交通哪个更重要?
3.如何理解风险投资?
4.如何理解广告的消极作用和积极作用?

■Avant! 微电子EE笔试题
1.名词解释:VLSI,CMOS,EDA,VHDL,Verilog,HDL,ROM,RAM,DRC,LVS。
2.简述CMOS工艺流程。
3.画出CMOS与非门的电路,并画出波形图简述其功能。
4.画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5.简述ESD和latch-up的含义。
6.简述三极管与MOS管的区别。
7.简述MOORE模型和MEALY模型。
8.简述堆栈与队列的区别。

■奇码数字信息有限公司笔试题
1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。

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